供应刻蚀SiGe刻蚀锗硅
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更新日期：2023-11-03
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刻蚀SiGe——刻蚀锗硅 Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente • 对一个Si/SiGe/Si异质结构的各项异性的刻蚀• 速率大约100纳米/分钟• 0.5微米深• 光刻胶掩模已去除 标签： 北京市刻蚀刻蚀锗硅 北京市刻蚀刻蚀锗硅厂家
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