静态随机存取存储器VTI516NF08VM
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更新日期：2022-11-24
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静态随机存取存储器VTI516NF08VMSRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
而DRAM（DynamicRandomAccessMemory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，功耗较小，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。
同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM显得更贵。
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广东 深圳市[同步sram 存储器 存储芯片] 深圳市VTI516NF08VM厂家
静态随机存取存储器VTI516NF08VM
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